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我國(guó)電子元件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀分析(下)
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http://shiquanmuye.com 發(fā)稿日期:2007-12-19
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五、世界電子元件發(fā)展預(yù)測(cè)。
按照我國(guó)電子元件15個(gè)大類產(chǎn)品統(tǒng)計(jì).預(yù)計(jì)2010年世界電子元件市場(chǎng)將達(dá)到3614億美元,產(chǎn)品產(chǎn)量將達(dá)到38400億只。
世界電子元件市場(chǎng)預(yù)測(cè)
產(chǎn)品類別2010年產(chǎn)量(億只)2010年銷售額(億美元)
電子元件總計(jì)384003614
其中:電阻電位器1400050
電容器20000220
壓電陶瓷及聲表器件20020
磁性材料與器件(142萬(wàn)噸)185
電子變壓器150150
電感器80040
壓電晶體器件20060
混合集成電路100600
敏感元器件與傳感器100420
電接插元件2500473
控制繼電器15060
微特電機(jī)與組件100200
光電線纜其中:光纜(20000萬(wàn)芯公里)490
電聲器件100100
印制電路(60000萬(wàn)平方米)546注:磁性材料、光電線纜和印制電路產(chǎn)量未計(jì)入總計(jì)。
據(jù)日本電子工業(yè)振興會(huì)對(duì)世界電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè),2010年世界電子元件市場(chǎng)將達(dá)2800億美元。另?yè)?jù)報(bào)道,全球片式元器件產(chǎn)量將從2005年15000億只增至2010年25000億只,年均增長(zhǎng)13%。
在全球化的浪潮中,世界電子元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,生產(chǎn)集中度不斷提高。新材料、新工藝、新設(shè)備大量涌現(xiàn),電子元件的技術(shù)又有了新的進(jìn)展,主要表現(xiàn)在:
1片式化、小型化已成為衡量電子元件技術(shù)發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一。世界各國(guó)包括亞太地區(qū)、印度等發(fā)展中國(guó)家和地區(qū),各類電子元件均已有相應(yīng)的片式化產(chǎn)品。其中,片式電容、片式電阻、片式電感三大無(wú)源元件,約占全球片式元件總產(chǎn)量的85%-90%。電子元件片式化的同時(shí),小型化也在迅速發(fā)展,不僅傳統(tǒng)元件在迅速小型化,片式元件也在迅速小型化。
2電子元件復(fù)合化和集成化的步伐加快。1005型4連的片式電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用急速增長(zhǎng);片式MLCC網(wǎng)絡(luò)1608型4連、1005型2連產(chǎn)品已批量生產(chǎn)。估計(jì)在2006年,15%手機(jī)中的無(wú)源元件已被片式集成無(wú)源元件(IPD)取代。
3高性能化高頻化電子設(shè)備的微波波段已成為重要的發(fā)展趨勢(shì)。這要求電子元件的使用頻段向更高的方向發(fā)展,電容器主要是降低ESR(等效串聯(lián)電阻)和ESL(等效串聯(lián)電感)。如3212型三端電容器(2200pf),ESL=0.03nH,ESR=32mΩ,分別為常規(guī)產(chǎn)品的1/12和1/8。片式電感器的使用頻率已達(dá)到12GHz,射頻同軸連接器的工作頻率已達(dá)110GHz。
4對(duì)溫度也提出更高的要求。地質(zhì)勘探、汽車電子和航空航天領(lǐng)域的需求在-55℃~+150℃。-55℃~+300℃的陶瓷電容器,-55℃~+175℃和-55℃~+300℃的有機(jī)薄膜電容器,150℃2000h高溫的鋁電解電容器已經(jīng)面世,500℃~1100℃的高溫?zé)崦綦娮枰言谄囯娮又蝎@得應(yīng)用。
六、我國(guó)電子元件的發(fā)展趨勢(shì)。
1片式化、小型化。以多層陶瓷電容器(MLCC)為例,目前的主流產(chǎn)品尺寸正在從0603型向0402型過(guò)渡,而更受市場(chǎng)歡迎的高端產(chǎn)品是0201型。
2多功能化。隨著電子新型產(chǎn)品功能的不斷增加,對(duì)片式元件功能的要求也越來(lái)越多樣化。
3集成模塊化。近年來(lái),由于低溫共燒陶瓷(LTCC)等技術(shù)的突破,才使無(wú)源集成技術(shù)進(jìn)入了實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化階段,并成為備受關(guān)注的技術(shù)制高點(diǎn)。
4微波、高頻化和寬帶化。目前電子整機(jī)向微波、毫米波、高頻寬帶方向發(fā)展的趨勢(shì)十分強(qiáng)勁。此外,高速數(shù)字電路產(chǎn)品越來(lái)越多,光通信的傳輸速度已從2.5Gbps發(fā)展到10Gbps。這些都對(duì)電子元器件的高頻和寬頻化提出了更高的要求。(經(jīng)整理,有刪減)
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